Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 19 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 68 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 35 nC @ 10 V Höhe = 8.77mm P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.